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Current Result Document :
ÇѱÛÁ¦¸ñ(Korean Title)
¼±Çü¼ºÀÌ Çâ»óµÈ GHz ´ë¿ª ÀúÀâÀ½ÁõÆø±â
¿µ¹®Á¦¸ñ(English Title)
GHz-Band Low Noise Amplifier with Improved Linearity
ÀúÀÚ(Author)
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Myeong-U Sung
Jae-Il Chun
Ye-Ji Choi
Keun-Pil Kil
Shin-Gon Kim
Murod Kurbanov
Delwar Tahesin Samira
Abrar Siddique
Prangyadarsini Behera
Jee-Youl Ryu
Seok-Ho Noh
Min Yoon
¿ø¹®¼ö·Ïó(Citation)
VOL 23 NO. 02 PP. 0668 ~ 0670 (2019. 10)
Çѱ۳»¿ë
(Korean Abstract)
º» ³í¹®Àº ¼±Çü¼ºÀÌ Çâ»óµÈ GHz ´ë¿ª ÀúÀâÀ½ÁõÆø±â¸¦ Á¦¾ÈÇÑ´Ù. ¼±Çü¼º Çâ»óÀ» Áõ¸íÇϱâ À§ÇØ ÀÌ·¯ÇÑ È¸·Î´Â TSMC 0.13-¥ìm È¥¼º½ÅÈ£/°íÁÖÆÄ BiCMOS SiGe °øÁ¤(fT/fMAX=120/140GHz)À¸·Î ±¸ÇöÇÏ¿´´Ù. ¶ÇÇÑ, ÀÌ·¯ÇÑ ÁõÆø±â´Â 2.4GHzÀÇ µ¿ÀÛÁÖÆļö¿¡ µ¿ÀÛÇϵµ·Ï ¼³°èµÇ¾î ÀÖ´Ù. ³ôÀº ¼±Çü¼ºÀ» È®º¸Çϱâ À§ÇØ MBDS ±â¹ýÀ» ÀÌ¿ëÇÏ¿´´Ù. Á¦¾ÈÇÏ´Â ÀúÀâÀ½ÁõÆø±â´Â ÃÖ±Ù ¹ßÇ¥µÈ ¿¬±¸°á°ú¿Í ºñ±³Çغ¼ ¶§ 27.6dBmÀÇ °¡Àå ³ôÀº IIP3 Ư¼ºÀ» º¸¿´´Ù.
¿µ¹®³»¿ë
(English Abstract)
This paper presents GHz-band low noise amplifier(LNA) with improved linearity. To verify linearity improvement, the circuit is fabricated using TSMC 0.13-¥ìm mixed signal/RF BiCMOS SiGe process(fT/fMAX=120/140GHz). This amplifier also operates at the frequency of 2.4GHz. We used the MOS-BJT derivative superposition(MBDS) technique to achieve high linearity. The proposed LNA showed the highest IIP3 of 26.7dBm as compared to recently published results.
Å°¿öµå(Keyword)
GHz-band
low noise amplifier(LNA)
linearity
MOS-BJT derivative superposition(MBDS)
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